negatiivisen
varauksen omaava kennon kerros, jonka atomirakenteessa on yksi elektroni
enemmän kuin puhtaalla piillä
N-tyyppinen puolijohdekerros saadaan aikaan lisäämällä
piihin antimonia,
arseenia tai fosforia. N- tyyppisessä puolijohdekerroksessa on enemmän
elektroneja kuin aukkoja.