positiivisen
varauksen omaava kennon kerros, jonka atomirakenteessa on yksi elektroni
vähemmän kuin puhtaalla piillä
P-tyyppinen puolijohdekerros saadaan aikaan lisäämällä
piihin indiumia, booria
tai galliumia. P-tyyppisessä puolijohdekerroksessa on enemmän aukkoja kuin
elektroneja.